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P25D40H 超低功耗，4M/2M/1M/ 512k位串行标准和双I/O闪存数据表

描述

P25D40H/20H/10H/05H是一款串行接口闪存器件，设计用于各种大批量基于消费者的应用，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也非常适合数据存储，从而消除了对额外数据存储设备的需求。

该设备的擦除块大小已经过优化，以满足当今代码和数据存储应用程序的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此可以大大减少大扇区和大块擦除闪存设备所浪费和未使用的内存空间。这种增加的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍然保持相同的总体设备密度。

该设备还包含一个额外的3*512字节安全寄存器，带有OTP锁(***次性可编程)，可用于诸如wei一设备序列化，系统级电子序列号(ESN)存储，锁定密钥存储等目的。

该器件专门设计用于许多不同的系统，支持读取，编程和擦除操作，电源电压范围为2.3V至3.6V。编程和擦除不需要单独的电压。

概述

一般

单机2.30V至3.60V电源

工业温度范围-40℃至85℃

SPI (Serial Peripheral Interface)支持模式0和模式3

单、双IO模式

—4M/2M/1M/512K ? 1bit

—2M/1M/512K/256K ? 2位

灵活的代码和数据存储架构

-统一的256字节页面程序

-统一的256字节页面擦除

-统一的4k字节扇区擦除

-统一32K/ 64k字节块擦除

-全芯片擦除

硬件控制锁定保护扇区通过WP引脚

yi次性可编程(OTP)安全寄存器

- 3*512字节的安全寄存器与OTP锁

每个设备的128位wei一ID

快速程序和擦除速度

- 2ms页面程序时间

- 8ms页擦除时间

- 8ms的4k字节扇区擦除时间

- 8ms 32k字节块擦除时间

- 8ms 64k字节块擦除时间

JEDEC标准制造商和设备ID读取方法

超低功耗

- 0.6uA深度掉电电流

- 9uA备用电流

- 2.5mA主动读取电流33MHz

- 3.0mA活动程序或擦除电流

fusionstorage高可靠性

- 100,000个程序/擦除周期

-数据保留20年

行业标准绿色包装选项

- 8针SOP8 (150mil/208mil)

- 8地USON8 (3x2x0.55毫米)、(3x2x0.45毫米)、(3x4x0.55毫米)

- 8层WSON8 (6x5x0.75mm)

- 8针TSSOP8

——WLCSP

—SiP为KGD